个人简介
姓名：朱成义
学历：博士研究生
职称：副教授
邮箱：chengyizhu@scnu.edu.cn
所在团队：未来科技研究院杨中民教授组
通讯地址：广州市天河区中山大道西55号华南师范大学石牌校区未来科技研究院（510631）
研究方向：（1）新型低维半导体的可控制备；（2）新型低功耗逻辑器件；（3）片上混合集成光电子器件。
个人简介：
朱成义，博士，副教授，华南师范大学二类青年拔尖人才。2024年12月毕业于哈尔滨工业大学深圳校区并获工学博士学位，2025年2月加入华南师范大学未来科技研究院杨中民教授团队。长期致力于新型低功耗逻辑器件与片上混合集成光电子器件等领域的研究，并取得了一系列创新性研究成果。已发表SCI论文18篇，其中以第一作者（含共一）身份在Nature Electronics、Nature Communications、ACS Nano和InfoMat等国际知名学术期刊发表多篇研究论文，担任Nature Communications等知名学术期刊审稿人。申获国家发明专利2项，主持中央高校科研基金1项，荣获哈尔滨工业大学优秀博士学位论文等荣誉。
代表性学术成果：
[1] Zhu, Cheng-Yi#; Zhang, Meng-Ru#; Chen, Qing#; Yue, Lin-Qing; Song, Rong; Wang, Cong; Li, Hui-Zhen; Zhou, Feichi; Li, Yang; Zhao, Weiwei; Zhen, Liang; Si, Mengwei; Li, Jia; Wang, Jingli*; Chai, Yang*; Xu, Cheng-Yan*; Qin, Jing-Kai*; Magnesium niobate as a high-κ gate dielectric for two-dimensional electronics, Nature Electronics, 2024, 7 (12): 1137-1146.
[2] Zhu, Cheng-Yi#; Zhang, Zimeng#; Qin, Jing-Kai*; Wang, Zi; Wang, Cong; Miao, Peng; Liu, Yingjie; Huang, Pei-Yu; Zhang, Yao; Xu, Ke*; Zhen, Liang; Chai, Yang*; Xu, Cheng-Yan*; Two dimensional semiconducting SnP2Se6 with giant second-harmonic-generation for monolithic on-chip electronic-photonic integration, Nature Communications, 2023, 14 (1): 2521.
[3] Zhu, Chengyi#; He, Wen#; Huang, Zhen-Rong#; Zhu, Bingxuan; Yue, Lin-Qing; Huang, Pei-Yu; Li, Dong; Wang, Jinzhong; Zhen, Liang; Qin, Jing-Kai*; Xu, Cheng-Yan*; Strain-reduced inversion symmetry in ultrathin SnP2Se6 crystals for giant bulk piezophotovoltaic generation, ACS Nano, 2025, 19 (2): 2362-2370.
[4] Zhu, Bing-Xuan#; Zhu, Cheng-Yi#; Qin, Jing-Kai*; He, Wen; Yue, Lin-Qing; Huang, Pei-Yu; Li, Dong; Sun, Ruo-Yao; Ye, Sheng; Du, Yu; Sui, Jie-He; Li, Ming-Yu; Mao, Jun; Zhen, Liang; Xu, Cheng-Yan*; Two-dimensional SnP2Se6 with gate-tunable Seebeck coefficient for telecommunication band photothermoelectric detection, InfoMat, 2024, 6 (10): e12600.
[5] Zhu, Cheng-Yi; Qin, Jing-Kai*; Huang, Pei-Yu; Sun, Hai-Lin; Sun, Nie-Feng; Shi, Yan-Lei; Zhen, Liang; Xu, Cheng-Yan*; 2D indium phosphorus sulfide (In2P3S9): an emerging van der waals high-κ dielectrics, Small, 2022, 18(5)